मैग्नाचिप ने ट्राई-फोल्ड स्मार्टफोन बैटरी सुरक्षा के लिए नया 24V बैटरीFET लॉन्च किया
– सुपर-शॉर्ट चैनल FET तकनीक के आधार पर चिप के आकार में 26% की कमी और Rss(on) में 31% का सुधार हासिल करता है
– मोबाइल उपकरणों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए बैटरी सुरक्षा समाधान का विस्तार करता है।
सियोल, दक्षिण कोरिया–(बिजनेस वायर)–#BatteryFET–Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX, "Magnachip") ने आज अगली पीढ़ी के ट्राई-फोल्ड स्मार्टफोन में बैटरी सुरक्षा सर्किट के लिए विशेष रूप से डिज़ाइन किए गए अपने नए 7वीं-पीढ़ी के 24V MXT LV MOSFET1 के लॉन्च की घोषणा की, जिससे प्रीमियम फोल्डेबल स्मार्टफोन बाजार में इसकी उपस्थिति मजबूत हुई है। यह उत्पाद अब बड़े पैमाने पर उत्पादन में है और वर्तमान में एक प्रमुख वैश्विक स्मार्टफोन निर्माता को आपूर्ति की जा रही है, जिसने सिद्ध प्रदर्शन और विश्वसनीयता का प्रदर्शन किया है।
नए पेश किए गए 24V Dual N-channel MOSFET (MDWC24D058ERH) में Magnachip की मालिकाना Super-Short Channel FET (SSCFET®)2 तकनीक शामिल है, जो पिछले संस्करण की तुलना में चिप के आकार को लगभग 26% कम करती है। यह निर्माताओं को बैटरी सुरक्षा सर्किट मॉड्यूल (PCM) बोर्ड के फुटप्रिंट को 20% से अधिक कम करने में सक्षम बनाता है, जिससे बचाई गई जगह का उपयोग बढ़ी हुई बैटरी क्षमता या पतले डिवाइस डिजाइन के लिए किया जा सकता है।
ट्राई-फोल्ड स्मार्टफोन में एक नया फॉर्म फैक्टर है जो दो बार मुड़ता है और तीन डिस्प्ले को एक साथ संचालित करता है, जो उच्च-प्रदर्शन मल्टीटास्किंग को सक्षम बनाता है। परिणामस्वरूप, उनकी आंतरिक संरचनाएं अधिक जटिल, पावर-कुशल और विश्वसनीय हो गई हैं, साथ ही डिजाइन में तेजी से महत्वपूर्ण भी हो रही हैं। तदनुसार, इन उपकरणों को जटिल आंतरिक संरचनाओं का प्रबंधन करने के साथ-साथ पावर स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए अत्यधिक एकीकृत और कुशल MOSFET समाधान की मांग है।
ट्राई-फोल्ड स्मार्टफोन के अलावा, नए उत्पाद को वियरेबल डिवाइस और टैबलेट सहित मोबाइल अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला में लागू किया जा सकता है। यह RSS(on), जो पावर हानि का एक प्रमुख स्रोत है, को लगभग 31% तक कम करता है, जिससे गर्मी उत्पन्न होने में कमी आती है। नया उत्पाद पारंपरिक ट्रेंच प्रक्रियाओं की तुलना में प्रति इकाई क्षेत्र में करंट घनत्व में लगभग 48% का सुधार करता है, उच्च-करंट स्थितियों के तहत स्थिर वोल्टेज नियंत्रण का समर्थन करता है। इसके अलावा, यह 2kV से अधिक के इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) सुरक्षा को एकीकृत करता है, जो बैटरी सिस्टम को बाहरी गड़बड़ियों से बचाने में मदद करता है।
बाजार अनुसंधान फर्म Omdia के अनुसार, स्मार्टफोन batteryFETs सहित 40V से नीचे सिलिकॉन पावर MOSFETs के लिए बाजार 2025 में लगभग $4.2 बिलियन से बढ़कर 2029 में लगभग $5.2 बिलियन होने की उम्मीद है, जो लगभग 4.6% की चक्रवृद्धि वार्षिक वृद्धि दर का प्रतिनिधित्व करता है। इस बाजार के भीतर, ट्राई-फोल्ड स्मार्टफोन सहित प्रीमियम स्मार्टफोन सेगमेंट, उच्च-प्रदर्शन और उच्च-दक्षता वाले घटकों की बढ़ती मांग द्वारा समर्थित, विकास को चलाने की उम्मीद है।
"ट्राई-फोल्ड स्मार्टफोन उच्च-स्तरीय मोबाइल उपकरणों का प्रतिनिधित्व करते हैं जिन्हें उन्नत तकनीक और बेहतर घटक विश्वसनीयता की आवश्यकता होती है," Magnachip के मुख्य प्रौद्योगिकी अधिकारी Hyuk Woo ने कहा। "इस नए MOSFET उत्पाद की आपूर्ति के माध्यम से, हमने एक बार फिर Magnachip की पावर सेमीकंडक्टर डिजाइन क्षमताओं और तकनीकी प्रतिस्पर्धात्मकता का प्रदर्शन किया है। आगे बढ़ते हुए, हम निरंतर नवाचार के माध्यम से स्मार्टफोन, वियरेबल्स और टैबलेट सहित मोबाइल अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए अपने पावर सेमीकंडक्टर पोर्टफोलियो का विस्तार करना जारी रखेंगे।"
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Magnachip Semiconductor के बारे में
Magnachip औद्योगिक, ऑटोमोटिव, संचार, उपभोक्ता और कंप्यूटिंग सहित विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एनालॉग और मिक्स्ड-सिग्नल पावर सेमीकंडक्टर प्लेटफॉर्म समाधानों का एक डिजाइनर और निर्माता है। कंपनी दुनिया भर के ग्राहकों को मानक उत्पादों की एक विस्तृत श्रृंखला प्रदान करती है। Magnachip, लगभग 45 वर्षों के परिचालन इतिहास के साथ, पंजीकृत पेटेंट और लंबित आवेदनों की एक महत्वपूर्ण संख्या का मालिक है, और इसके पास व्यापक इंजीनियरिंग, डिजाइन और निर्माण प्रक्रिया विशेषज्ञता है। अधिक जानकारी के लिए, कृपया www.magnachip.com पर जाएं। Magnachip की वेबसाइट पर या उसके माध्यम से सुलभ जानकारी इस विज्ञप्ति का हिस्सा नहीं है, और इसमें शामिल नहीं की गई है।
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1 MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): Magnachip का 30V से नीचे का लो-वोल्टेज MOSFET उत्पाद परिवार इसकी नवीनतम ट्रेंच प्रक्रिया तकनीक पर आधारित है। | |
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2 SSCFET®(Super-Short Channel FET): Magnachip की MOSFET डिजाइन तकनीक जो कम ऑन-रेजिस्टेंस और उच्च करंट क्षमता हासिल करने के लिए एक न्यूनतम चैनल-लंबाई संरचना लागू करती है। | |
संपर्क
Mike Bishop
United States (Investor Relations)
Bishop IR, LLC
Tel. +1-415-891-9633
[email protected]
Kyeongah Cho
Global Marketing Communication
Magnachip Semiconductor
Tel. +82-2-6903-3179
[email protected]
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