SK Hynix表示，新工厂将与清州的其他设施协同运作

SK Hynix,韩国领先的高频宽记忆体供应商之一,计划投资约19兆韩元,大约129亿美元,在忠清北道清州兴建芯片封装厂。

据该公司表示,新厂房将有助于满足人工智能记忆体激增的需求,并支持政府的经济平衡计划。该公司解释说:"预计2025年至2030年间高频宽记忆体(HBM)的复合年增长率为33%,提前应对HBM需求上升的重要性显著增加。我们决定进行这项新投资,以确保稳定应对人工智能记忆体的需求。"

该公司还提到,有关区域投资的持续讨论已纳入其决策考量,明确表示决定在大城市以外分散增长是有意义的。该项目预定于4月开始,预计将于2027年底完工。

这项投资计划是继SK Hynix宣布在威尼斯人博览会开设客户展示厅之后,该公司在拉斯维加斯CES 2026上展示了其下一代人工智能记忆体解决方案。

该公司表示:"在'创新人工智能,可持续明天'的主题下,我们计划展示一系列针对人工智能优化的下一代记忆体解决方案,并将与客户紧密合作,在人工智能时代创造新价值。"

这家半导体公司此前曾在CES上同时营运SK集团联合展览和客户展示厅。今年,该公司将专注于客户展示厅,以扩大与主要客户的接触点,讨论潜在合作。

SK Hynix表示新厂房将与清州其他设施协同运作

SK Hynix的新设施将在封装HBM和其他人工智能记忆体产品方面发挥核心作用。项目完成后,该公司将在利川、清州和西拉法叶拥有三个主要的先进封装中心。

该公司的清州园区已经拥有多个主要场所,包括M11和M12晶圆厂、M15半导体制造厂以及P&T3封装和测试设施。到目前为止,该公司预期M15X晶圆厂(计划于2月开始大量晶圆装载)与即将建立的P&T7封装设施之间将产生强大的营运协同效应。该公司解释说,P&T7设施上线后,清州将支持NAND快闪记忆体、DRAM和HBM的完整生产阶段。

谈到该项目时,SK Hynix还指出:"通过投资清州P&T7,我们的目标是超越短期效率或收益,并在中长期内加强国家的工业基础,帮助建立首都圈和地方地区共同发展的结构。"

三星也在扩大其HBM生产能力

SK Hynix的竞争对手三星也计划提高其HBM生产能力。该公司表示,正准备提升其HBM产量,计划在2026年将产能提高约50%,以满足其主要客户英伟达不断增长的需求。

在去年10月的业绩电话会议上,这家水原芯片制造商概述了其扩大生产的计划,打算兴建新的制造厂房。"我们正在内部审查扩大HBM生产的可能性,"三星电子记忆体业务副总裁Kim Jae-june当时表示。

此外,在11月的高层会议后,这家韩国芯片制造商宣布计划投资415亿美元在平泽的P5设施,营运预计于2028年开始。这项计划支出大约是三星在平泽先前工厂支出的两倍

值得注意的是,三星还提到正在获得积极的行政支持以加快P5建设进程。当时还有报道称,该公司正在推进平泽集群P6的开发。

目前,KB证券预测该公司将在2026年第二季度之前将P4的DRAM产能每月增加约60,000片晶圆。更多报道指出,该公司还在英伟达的第六代HBM(HBM4)内部测试中名列第一,超越SK Hynix和美光,用于Rubin处理器。该芯片制造商的HBM4表现超出预期,每针脚达到11 Gbps,高于英伟达的10 Gbps标准。

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