Magnachip推出全新24V BatteryFET用于三折叠智能手机电池保护

– 基于超短沟道FET技术，实现芯片尺寸缩小26%，R_ss(on)改善31%

– 为各种移动设备扩展电池保护解决方案。

韩国首尔–(美国商业资讯)–#BatteryFET–Magnachip半导体公司(纽约证券交易所代码:MX,"Magnachip")今日宣布推出专为下一代三折叠智能手机电池保护电路设计的全新第7代24V MXT LV MOSFET¹，巩固其在高端折叠智能手机市场的地位。该产品现已量产，目前正向一家全球主要智能手机制造商供货，并已展现出经过验证的性能和可靠性。

新推出的24V双N沟道MOSFET(MDWC24D058ERH)采用Magnachip专有的超短沟道FET(SSCFET®)²技术，与前一版本相比，芯片尺寸缩小约26%。这使制造商能够将电池保护电路模块(PCM)板的占位面积减少20%以上，让节省的空间可用于增加电池容量或实现更纤薄的设备设计。

三折叠智能手机采用可折叠两次并同时操作三个显示屏的新外形设计，实现高性能多任务处理。因此，其内部结构变得更加复杂、节能且可靠，同时在设计方面也变得日益关键。相应地，这些设备需要高度集成和高效的MOSFET解决方案来管理复杂的内部结构，同时确保电源稳定性。

除了三折叠智能手机外，新产品还可应用于各种移动应用，包括可穿戴设备和平板电脑。它将R_SS(on)(功率损耗的主要来源)降低高达约31%，有助于减少发热。与传统沟槽工艺相比，新产品还将单位面积电流密度提高约48%，支持在大电流条件下稳定控制电压。此外，它集成了超过2kV的静电放电(ESD)保护，有助于保护电池系统免受外部干扰。

根据市场研究公司Omdia的数据，包括智能手机电池FET在内的40V以下硅功率MOSFET市场预计将从2025年的约42亿美元增长到2029年的约52亿美元，复合年增长率约为4.6%。在这个市场中，包括三折叠智能手机在内的高端智能手机领域预计将推动增长，受到对高性能和高效率组件需求不断增长的支持。

"三折叠智能手机代表需要先进技术和卓越组件可靠性的高端移动设备，"Magnachip首席技术官Hyuk Woo表示。"通过供应这款新MOSFET产品，我们再次展示了Magnachip的功率半导体设计能力和技术竞争力。展望未来，我们将通过持续创新，继续扩展面向包括智能手机、可穿戴设备和平板电脑在内的各种移动应用的功率半导体产品组合。"

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Magnachip是面向各种应用(包括工业、汽车、通信、消费和计算)的模拟和混合信号功率半导体平台解决方案的设计商和制造商。公司向全球客户提供广泛的标准产品。Magnachip拥有约45年的运营历史，拥有大量注册专利和待审申请，并具备广泛的工程、设计和制造工艺专业知识。如需了解更多信息，请访问www.magnachip.com。Magnachip网站上或通过其网站访问的信息不属于本新闻稿的一部分，也未纳入本新闻稿。

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