三星量產商用 HBM4 記憶體 採 1c DRAM 傳輸速度達 11.7Gbps

三星宣布業界首款商用 HBM4 記憶體進入量產階段，採用 1c DRAM 製程並提供最高 11.7Gbps 傳輸速度。
三星正式宣佈，已經開始量產、出貨業界首款商用HBM4 (High Bandwidth Memory 4) 高頻寬記憶體。這不僅意味HBM技術正式跨入第四代，更展現三星試圖透過製程優勢「彎道超車」的決心。

這款新品採用了三星最先進的1c (第六代10nm等級) DRAM製程，並且結合4nm邏輯基礎晶粒 (Logic Base Die)，將傳輸速度一舉推升至11.7Gbps，最高甚至可達 13Gbps。

結合4nm邏輯製程，打破記憶體與運算的界線

這次三星HBM4的最大技術突破，在於「基礎晶粒」 (Base Die)的革新。

過去的HBM主要由記憶體大廠全權負責，但在HBM4世代，為了突破頻寬與效能瓶頸，底層的基礎晶粒開始轉向使用先進的邏輯製程。三星利用自家同時擁有記憶體與晶圓代工的優勢，直接採用4nm邏輯製程製造HBM4的基礎晶粒。

規格重點整理：

• 速度：穩定傳輸速度達11.7Gbps (比業界標準8Gbps快46%)，最高可超頻至13Gbps。

• 頻寬：單一堆疊頻寬達3.3 TB/s，是前一代HBM3E的2.7倍。

• 容量：採用12層堆疊 (12Hi)技術，提供24GB至36GB容量；16層堆疊 (16Hi)最高可擴充至48GB。

• 能效與散熱：透過低電壓TSV與電源分佈網路 (PDN)優化，功耗降低40%，散熱效能提升30%。

不只拚速度，還要拚「客製化」

三星執行副總裁Sang Joon Hwang表示，這次HBM4不同於傳統路徑，直接導入了1c DRAM與4nm邏輯製程，確保了充足的效能空間。

三星也公佈了極具野心的時程表：

• HBM4：現已量產出貨。

• HBM4E：預計2026年下半年開始出貨樣品。

• 客製化HBM (Custom HBM)：預計2027年開始提供。

這顯示三星正積極與全球GPU業者 (即NVIDIA和AMD)及超大規模資料中心業者合作，透過內部封裝技術與晶圓代工的整合，縮短交期、提供更靈活的規格。三星預估，2026年其HBM銷售額將比2025年成長3倍以上。

分析觀點

這場HBM大戰，到了HBM4世代終於進入了「深水區」。

先前在HBM3和HBM3E世代，SK Hynix靠著MR-MUF封裝技術搶盡風頭，成為NVIDIA的獨家或首選供應商，讓三星顏面無光。但到了HBM4，遊戲規則改變了——「邏輯製程」成為關鍵。

這正是三星最大的護城河。相比SK Hynix需要找台積電 (TSMC)合作生產基礎晶粒，三星是全球唯二 (另一家是Intel)同時擁有頂尖記憶體與先進邏輯製程產能的IDM廠商。這讓三星在HBM4的整合度、良率控制，以及成本結構上，理論上擁有更高的自主權。

此次三星宣佈「率先量產」，宣示意味濃厚。這代表三星的1c DRAM製程良率已經穩定，同時4nm邏輯整合也已就緒。對於急需更高頻寬來餵養下一代AI晶片 (如NVIDIA Rubin或AMD MI400系列)的市場來說，多一家供應商絕對是好事；而對於三星來說，這更是其重返「記憶體王者」寶座的關鍵一役。