Saham Intel Corporation (INTC): Produksi Risiko 18A-P Meningkatkan Peta Jalan Foundry

TLDR

• Intel naik 3,05% seiring 18A-P memasuki produksi risiko di VLSI.
• INTC menguat karena Intel Foundry mengonfirmasi kemajuan peta jalan 18A-P.
• Intel 18A-P menghadirkan peningkatan daya, kinerja, dan fleksibilitas desain.
• Intel menguraikan pekerjaan penskalaan chip di CFET, GaN, dan ruthenium.
• Pembaruan Intel Foundry mendukung saham INTC setelah perdagangan yang bergejolak.

Saham Intel Corporation (INTC) naik ke 120,61, meningkat 3,05%, setelah sesi yang bergejolak berakhir dengan pemulihan yang kuat. Saham tersebut sempat turun di awal, namun kemudian kembali menguat dan ditutup mendekati level tertinggi intraday. Pergerakan ini mengikuti pembaruan terbaru Intel Foundry di Simposium VLSI 2026.

Intel Corporation, INTC

Intel 18A-P Memasuki Produksi Risiko

Intel Foundry menyatakan bahwa Intel 18A-P telah memasuki produksi risiko, sesuai dengan jadwal yang telah dikomunikasikan kepada pelanggan tahun lalu. Pembaruan ini menandai peningkatan kinerja pertama dalam keluarga proses Intel 18A. Hal ini juga memperkuat pesan Intel mengenai eksekusi foundry jangka panjang.

Perusahaan memperkenalkan Intel 18A-P sebagai peningkatan yang kompatibel secara desain terhadap Intel 18A. Berkat kompatibilitas tersebut, pelanggan dapat menggunakan kembali kekayaan intelektual dan alur desain yang sudah ada. Pendekatan ini dapat mengurangi hambatan saat para desainer chip beralih ke proses yang lebih canggih.

Intel menyatakan 18A-P menghadirkan kinerja 9% lebih tinggi pada daya yang sama. Proses ini juga menawarkan daya 18% lebih rendah pada level kinerja yang sama. Sementara itu, proses ini menambahkan fitur termal yang lebih baik dan opsi desain yang lebih luas.

Pembaruan Proses Mendukung Peningkatan Kinerja dan Daya

Intel memperkenalkan Power Boost, opsi transistor dual-contact untuk Intel 18A-P. Fitur ini menurunkan resistansi, meningkatkan arus drive, dan mendukung frekuensi lebih tinggi pada kapasitansi yang setara. Hasilnya, para desainer mendapatkan jalur tambahan untuk meningkatkan kinerja chip.

Perusahaan juga melaporkan resistansi termal 20% hingga 40% lebih baik. Intel menyebutkan resistansi via 10% hingga 30% lebih baik melalui perubahan material dan geometri. Pembaruan ini menargetkan aliran panas, pengiriman daya, dan pergerakan sinyal di seluruh lapisan chip.

Intel juga menambahkan opsi transistor berdaya rendah dan berkinerja tinggi yang baru. Ini mencakup pasangan ambang tegangan logika kelima antara ULVT dan LVT. Dengan demikian, para desainer mendapatkan fleksibilitas lebih besar dalam menyeimbangkan kecepatan, daya, dan efisiensi.

Presentasi VLSI Menambahkan Konteks Jangka Panjang

Intel memanfaatkan acara VLSI untuk menghubungkan 18A-P dengan pekerjaan sebelumnya pada Intel 18A. Perusahaan membawa transistor gate-all-around dan pengiriman daya sisi belakang ke pasar tahun lalu. Teknologi-teknologi tersebut kini mendukung peningkatan proses berikutnya dan rencana penskalaan masa depan.

Intel mempresentasikan penelitian yang menunjukkan pengurangan area routed sebesar 11% dan penurunan dynamic voltage droop hingga 10 kali lipat. Perusahaan menyatakan bahwa keuntungan tersebut dapat mendukung frekuensi hingga 6% lebih tinggi. Hal ini juga dapat menghasilkan daya dinamis lebih dari 15% lebih rendah dibandingkan teknologi frontside yang sebanding.

Intel juga menampilkan penelitian jangka panjang di bidang CFET, integrasi GaN, dan interkoneksi ruthenium. Pekerjaan CFET-nya menumpuk perangkat NMOS dan PMOS pada gate pitch 45nm. Sementara itu, studi GaN dan ruthenium menargetkan manajemen daya, penskalaan interkoneksi, dan efisiensi chip masa depan.

Artikel Saham Intel Corporation (INTC): Produksi Risiko 18A-P Perkuat Peta Jalan Foundry pertama kali muncul di CoinCentral.