– Mencapai pengurangan ukuran chip sebesar 26% dan peningkatan Rss(on) sebesar 31% berdasarkan teknologi Super-Short Channel FET
– Memperluas solusi perlindungan baterai untuk berbagai perangkat mobile.
SEOUL, Korea Selatan–(BUSINESS WIRE)–#BatteryFET–Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX, "Magnachip") hari ini mengumumkan peluncuran 24V MXT LV MOSFET1 generasi ke-7 barunya yang dirancang khusus untuk sirkuit perlindungan baterai pada smartphone tri-fold generasi berikutnya, memperkuat kehadirannya di pasar smartphone lipat premium. Produk ini kini sudah dalam produksi massal dan saat ini sedang dipasok ke produsen smartphone global besar, setelah menunjukkan kinerja dan keandalan yang terbukti.
24V Dual N-channel MOSFET (MDWC24D058ERH) yang baru diperkenalkan menggabungkan teknologi Super-Short Channel FET (SSCFET®)2 milik Magnachip, mengurangi ukuran chip sekitar 26% dibandingkan dengan versi sebelumnya. Hal ini memungkinkan produsen mengurangi jejak papan modul sirkuit perlindungan baterai (PCM) lebih dari 20%, memungkinkan ruang yang dihemat digunakan untuk peningkatan kapasitas baterai atau desain perangkat yang lebih ramping.
Smartphone tri-fold menampilkan faktor bentuk baru yang terlipat dua kali dan mengoperasikan tiga layar secara bersamaan, memungkinkan multitasking berkinerja tinggi. Akibatnya, struktur internal mereka menjadi lebih kompleks, hemat daya dan andal, sekaligus menjadi semakin kritis dalam desain. Dengan demikian, perangkat ini memerlukan solusi MOSFET yang sangat terintegrasi dan efisien untuk mengelola struktur internal yang kompleks sambil memastikan stabilitas daya.
Selain smartphone tri-fold, produk baru ini dapat diterapkan di berbagai aplikasi mobile, termasuk perangkat wearable dan tablet. Ini mengurangi RSS(on), sumber utama kehilangan daya, hingga sekitar 31%, membantu mengurangi pembangkitan panas. Produk baru ini juga meningkatkan kepadatan arus per satuan luas sekitar 48% dibandingkan dengan proses trench konvensional, mendukung kontrol tegangan yang stabil dalam kondisi arus tinggi. Selain itu, ini mengintegrasikan perlindungan electrostatic discharge (ESD) lebih dari 2kV, membantu melindungi sistem baterai dari gangguan eksternal.
Menurut perusahaan riset pasar Omdia, pasar untuk MOSFET daya silikon di bawah 40V, termasuk batteryFET smartphone, diperkirakan akan tumbuh dari sekitar $4,2 miliar pada tahun 2025 menjadi sekitar $5,2 miliar pada tahun 2029, mewakili tingkat pertumbuhan tahunan majemuk sekitar 4,6%. Dalam pasar ini, segmen smartphone premium, termasuk smartphone tri-fold, diharapkan mendorong pertumbuhan, didukung oleh permintaan yang meningkat untuk komponen berkinerja tinggi dan efisiensi tinggi.
"Smartphone tri-fold mewakili perangkat mobile kelas atas yang memerlukan teknologi canggih dan keandalan komponen yang superior," kata Hyuk Woo, Chief Technology Officer Magnachip. "Melalui pasokan produk MOSFET baru ini, kami sekali lagi telah menunjukkan kemampuan desain semikonduktor daya dan daya saing teknologi Magnachip. Ke depan, kami akan terus memperluas portofolio semikonduktor daya kami untuk berbagai aplikasi mobile, termasuk smartphone, wearable, dan tablet, melalui inovasi berkelanjutan."
Tautan Terkait
Power Solutions > MXT MOSFETs > 24V
Artikel Terkait
Magnachip Memperluas Produksi MXT LV MOSFET Generasi Ke-7 Berdasarkan Teknologi Super Short Channel FET
Magnachip Meluncurkan MXT LV MOSFET Generasi Ke-8 Pertamanya yang Dirancang dengan Super-Short Channel FET II
Tentang Magnachip Semiconductor
Magnachip adalah perancang dan produsen solusi platform semikonduktor daya analog dan mixed-signal untuk berbagai aplikasi, termasuk industri, otomotif, komunikasi, konsumen dan komputasi. Perusahaan menyediakan berbagai produk standar kepada pelanggan di seluruh dunia. Magnachip, dengan sekitar 45 tahun sejarah operasi, memiliki sejumlah besar paten terdaftar dan aplikasi yang tertunda, serta memiliki keahlian ekstensif dalam proses rekayasa, desain dan manufaktur. Untuk informasi lebih lanjut, silakan kunjungi www.magnachip.com. Informasi di atau dapat diakses melalui situs web Magnachip bukan merupakan bagian dari, dan tidak dimasukkan ke dalam, rilis ini.
|
1 MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): Keluarga produk MOSFET tegangan rendah Magnachip di bawah 30V berdasarkan teknologi proses trench terbarunya. | |
|
2 SSCFET®(Super-Short Channel FET): Teknologi desain MOSFET Magnachip yang menerapkan struktur panjang saluran yang diminimalkan untuk mencapai resistansi on yang rendah dan kemampuan arus tinggi. | |
Kontak
Mike Bishop
United States (Investor Relations)
Bishop IR, LLC
Tel. +1-415-891-9633
[email protected]
Kyeongah Cho
Global Marketing Communication
Magnachip Semiconductor
Tel. +82-2-6903-3179
[email protected]
